casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / GSE6-N4212
Número de pieza del fabricante | GSE6-N4212 |
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Número de parte futuro | FT-GSE6-N4212 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G6 |
GSE6-N4212 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Through-Beam |
Distancia de detección | 393.701" (10m) |
Suministro de voltaje | 10V ~ 30V |
Tiempo de respuesta | 500µs |
Configuración de salida | NPN |
Método de conexión | Connector, M8 |
Protección de ingreso | IP67 |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Red (650nm) |
Tipo de ajuste | Adjustable, Potentiometer |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C (TA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSE6-N4212 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GSE6-N4212-FT |
GRTE18-N2462
SICK, Inc.
GRTE18-N2467
SICK, Inc.
GRTE18-P1112
SICK, Inc.
GRTE18-P1117
SICK, Inc.
GRTE18-P1142
SICK, Inc.
GRTE18-P1147
SICK, Inc.
GRTE18-P1162
SICK, Inc.
GRTE18-P1167
SICK, Inc.
GRTE18-P2412
SICK, Inc.
GRTE18-P2417
SICK, Inc.
A40MX04-3VQ80I
Microsemi Corporation
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-6SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8ES
Intel
5SGXMA7N3F45C2N
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation