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Número de pieza del fabricante | GSE6-N4112 |
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Número de parte futuro | FT-GSE6-N4112 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G6 |
GSE6-N4112 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Through-Beam |
Distancia de detección | 590.551" (15m) |
Suministro de voltaje | 10V ~ 30V |
Tiempo de respuesta | 500µs |
Configuración de salida | NPN |
Método de conexión | Connector, M8 |
Protección de ingreso | IP67 |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Red (650nm) |
Tipo de ajuste | - |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C (TA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSE6-N4112 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GSE6-N4112-FT |
GRTE18-N2442
SICK, Inc.
GRTE18-N2447
SICK, Inc.
GRTE18-N2462
SICK, Inc.
GRTE18-N2467
SICK, Inc.
GRTE18-P1112
SICK, Inc.
GRTE18-P1117
SICK, Inc.
GRTE18-P1142
SICK, Inc.
GRTE18-P1147
SICK, Inc.
GRTE18-P1162
SICK, Inc.
GRTE18-P1167
SICK, Inc.
XC3S1500-4FG320I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL340F1517C4N
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
XC4VLX60-10FFG1148I
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35C4N
Intel
EP1K30QC208-1N
Intel