casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / GPAS1006 MNG
Número de pieza del fabricante | GPAS1006 MNG |
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Número de parte futuro | FT-GPAS1006 MNG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GPAS1006 MNG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB (D²PAK) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GPAS1006 MNG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GPAS1006 MNG-FT |
SFAF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF2008GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel