casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GP1M009A090FH
Número de pieza del fabricante | GP1M009A090FH |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GP1M009A090FH |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP1M009A090FH Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 900V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2324pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 48W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220F |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M009A090FH Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GP1M009A090FH-FT |
IRFU3706
Infineon Technologies
IRFU3706PBF
Infineon Technologies
IRFU3707
Infineon Technologies
IRFU3707PBF
Infineon Technologies
IRFU3707ZPBF
Infineon Technologies
IRFU3708
Infineon Technologies
IRFU3708PBF
Infineon Technologies
IRFU3709
Infineon Technologies
IRFU3709Z-701P
Infineon Technologies
IRFU3709ZPBF
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel