casa / productos / Sensores, Transductores / Transductores de corriente / GO 20-SMS
Número de pieza del fabricante | GO 20-SMS |
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Número de parte futuro | FT-GO 20-SMS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GO-SMS |
GO 20-SMS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Para medir | AC/DC |
Tipo de sensor | Hall Effect |
Corriente - Sensing | 20A |
número de canales | 1 |
Salida | Ratiometric, Voltage |
Sensibilidad | 40mV/A |
Frecuencia | DC ~ 300kHz |
Linealidad | ±0.3% |
Exactitud | ±1.3% |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Tiempo de respuesta | 2µs |
Corriente - Suministro (Máx.) | 25mA |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Polarización | Bidirectional |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
- | |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GO 20-SMS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GO 20-SMS-FT |
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems, LLC
DRV421RTJT
Texas Instruments
DRV421RTJR
Texas Instruments
SI8501-C-IS
Silicon Labs
SI8501-C-ISR
Silicon Labs
SI8502-C-IS
Silicon Labs
SI8502-C-ISR
Silicon Labs
SI8503-C-IS
Silicon Labs
SI8503-C-ISR
Silicon Labs
SI8511-C-IS
Silicon Labs
XC4005XL-2TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3CSG484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C4
Intel
XC2V1000-5BG575I
Xilinx Inc.
A3P250-FGG144I
Microsemi Corporation
5CEFA2F23C8N
Intel
5SGXEA3H2F35I2LN
Intel