casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / GIB2403HE3/81
Número de pieza del fabricante | GIB2403HE3/81 |
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Número de parte futuro | FT-GIB2403HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GIB2403HE3/81 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 16A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 975mV @ 8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GIB2403HE3/81 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GIB2403HE3/81-FT |
32CTQ030STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
32CTQ030STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045S
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
40CTQ045STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
40L15CTS
Vishay Semiconductor Diodes Division
42CTQ030S
Vishay Semiconductor Diodes Division
42CTQ030STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
42CTQ030STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
43CTQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel