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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc GE28F320C3BC90

Número de pieza de MFG
GE28F320C3BC90
Cantidad disponible
20550 Piezas
Precio de referencia
USD 4.658848
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Fecha de envío
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fabricante
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Breve descripción
- IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-GE28F320C3BC90
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GE28F320C3BC90 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria DRAM
Tecnología SDRAM - Mobile
Tamaño de la memoria 256Mb (8M x 32)
Frecuencia de reloj 166MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -
Tiempo de acceso 5.5ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.3V ~ 3V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 90-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 90-TFBGA (8x13)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GE28F320C3BC90 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto GE28F320C3BC90-FT

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