casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ9V1B-HG3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ9V1B-HG3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ9V1B-HG3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ9V1B-HG3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 6V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ9V1B-HG3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ9V1B-HG3-18-FT |
GDZ3V0B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V3B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V3B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V3B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V3B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V3B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
M2GL025-VF400
Microsemi Corporation
EP4CGX30BF14C8N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel