casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ9V1B-G3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ9V1B-G3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ9V1B-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ9V1B-G3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 6V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ9V1B-G3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ9V1B-G3-18-FT |
GDZ36B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V0B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ3V3B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel