casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ6V8B-HE3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ6V8B-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ6V8B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ6V8B-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 40 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 3.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ6V8B-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ6V8B-HE3-18-FT |
GDZ30B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ33B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
LFXP15C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
EP2C70F896C7N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX230DF29I3N
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel