casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ6V8B-E3-08
Número de pieza del fabricante | GDZ6V8B-E3-08 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GDZ6V8B-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ6V8B-E3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 40 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 3.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ6V8B-E3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ6V8B-E3-08-FT |
GDZ2V7B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125DF25C5
Intel
5SGXEABN3F45C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1157C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E1SG
Intel
5AGXFA5H6F35C6N
Intel
EP4SGX180HF35C2
Intel