casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ6V8B-E3-08
Número de pieza del fabricante | GDZ6V8B-E3-08 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ6V8B-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ6V8B-E3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 40 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 3.5V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ6V8B-E3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ6V8B-E3-08-FT |
GDZ2V7B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel