casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ6V2B-HE3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ6V2B-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ6V2B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ6V2B-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 60 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 3V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ6V2B-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ6V2B-HE3-18-FT |
GDZ2V7B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ2V7B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ30B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation