casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ4V3B-HE3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ4V3B-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ4V3B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ4V3B-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ4V3B-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ4V3B-HE3-18-FT |
GDZ24B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ24B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V8000-5FFG1517I
Xilinx Inc.
XC3S200A-5VQ100C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010-1FG484I
Microsemi Corporation
A3P030-VQG100I
Microsemi Corporation
AT40K05LV-3DQI
Microchip Technology
EPF10K50SFC256-2
Intel
5SGXEA7K3F40I3
Intel
LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3SG
Intel