casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ4V3B-HE3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ4V3B-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ4V3B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ4V3B-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolerancia | ±2% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ4V3B-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ4V3B-HE3-18-FT |
GDZ24B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ24B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GDZ27B-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20AF256I8N
Intel
EPF6016AFC256-3
Intel
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC7A75T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation