casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ2V0B-E3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ2V0B-E3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ2V0B-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ2V0B-E3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 2V |
Tolerancia | ±4% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 120µA @ 500mV |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ2V0B-E3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ2V0B-E3-18-FT |
BZX384C75-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C75-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C75-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C8V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation