casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Zener - Single / GDZ12B-HE3-18
Número de pieza del fabricante | GDZ12B-HE3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GDZ12B-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
GDZ12B-HE3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolerancia | ±4% |
Potencia - max | 200mW |
Impedancia (Max) (Zzt) | 30 Ohms |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 9V |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GDZ12B-HE3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GDZ12B-HE3-18-FT |
BZX384C3V9-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C3V9-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384C43-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP1AGX20CF484I6
Intel
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
5SEE9F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC7K420T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3LG
Intel