casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / GD25VE16CTIG
Número de pieza del fabricante | GD25VE16CTIG |
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Número de parte futuro | FT-GD25VE16CTIG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25VE16CTIG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frecuencia de reloj | 104MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 2.1V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25VE16CTIG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GD25VE16CTIG-FT |
W25Q64FWSTIG
Winbond Electronics
W25Q64FWSTIG TR
Winbond Electronics
W25Q80DLSNIG
Winbond Electronics
W25Q80DVSVIG
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W25Q80DVSVIG TR
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W25Q80EWSNIG TR
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W25Q80EWSVIG
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W25X05CLSNIG
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W25X05CLSNIG TR
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EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel