casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / GD25VE16CTIGR
Número de pieza del fabricante | GD25VE16CTIGR |
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Número de parte futuro | FT-GD25VE16CTIGR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25VE16CTIGR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 16Mb (2M x 8) |
Frecuencia de reloj | 104MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 2.1V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25VE16CTIGR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GD25VE16CTIGR-FT |
W25Q64FWSTIG TR
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W25Q80DLSNIG
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W25Q80DVSVIG
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W25Q80EWSVIG
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W25Q80EWSVIG TR
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W25X05CLSNIG TR
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W25X10CLSNIG
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XC7A50T-3FGG484E
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M1AGL1000V5-FGG484
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A3P250L-VQG100
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5SGXEA4H3F35C4N
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XC6VHX250T-1FF1154I
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XC6SLX16-L1CSG225C
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XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
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LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
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