casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / GD25S512MDBIGY
Número de pieza del fabricante | GD25S512MDBIGY |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GD25S512MDBIGY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25S512MDBIGY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frecuencia de reloj | 104MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 50µs, 2.4ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 24-TBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 24-TFBGA (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25S512MDBIGY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GD25S512MDBIGY-FT |
MX29GL512GHT2I-10G
Macronix
MX29GL512GHXFI-10G
Macronix
MX29GL512GLT2I-10G
Macronix
MX29GL512GLXFI-10G
Macronix
MX29GL512GUT2I-11G
Macronix
MX29GL512GUXFI-11G
Macronix
MX29LV040CT2I-70G
Macronix
MX29LV040CTI-55Q
Macronix
MX29LV040CTI-90G
Macronix
MX29LV160DBXBI-70G
Macronix
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel