casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / GD25LQ128DYIGR
Número de pieza del fabricante | GD25LQ128DYIGR |
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Número de parte futuro | FT-GD25LQ128DYIGR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GD25LQ128DYIGR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | FLASH |
Tecnología | FLASH - NOR |
Tamaño de la memoria | 128Mb (16M x 8) |
Frecuencia de reloj | 120MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 2.4ms |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
Suministro de voltaje | 1.65V ~ 2V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-WDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WSON (6x8) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GD25LQ128DYIGR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GD25LQ128DYIGR-FT |
71V016SA15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V016SA20PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12PHGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71016S12PHG
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel