casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBUE2560-M3/P
Número de pieza del fabricante | GBUE2560-M3/P |
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Número de parte futuro | FT-GBUE2560-M3/P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBUE2560-M3/P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4.9A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 920mV @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBUE2560-M3/P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBUE2560-M3/P-FT |
GBU6G-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6K-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4B-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8G-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8D-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8M-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU8B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144I
Microsemi Corporation
XC2V250-4FGG256C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AX250-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484I7
Intel
5SGXEABK3H40C4N
Intel
XCV150-5BG256C
Xilinx Inc.
LFEC3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation