casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU8JL-5302M3/45
Número de pieza del fabricante | GBU8JL-5302M3/45 |
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Número de parte futuro | FT-GBU8JL-5302M3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU8JL-5302M3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3.9A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 8A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU8JL-5302M3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU8JL-5302M3/45-FT |
GBPC608/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4A-1E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4A-1M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-5303E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-5303E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-5303M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-5303M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-6419E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-6419E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU4DL-6419M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-N3FGG484C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C2LN
Intel
10AX048H2F34E2SG
Intel
A40MX04-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35E3SG
Intel
EP20K160EQI240-3
Intel
EP1K50QC208-2
Intel