casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU6JL-7002M3/45
Número de pieza del fabricante | GBU6JL-7002M3/45 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU6JL-7002M3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU6JL-7002M3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3.8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 6A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6JL-7002M3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU6JL-7002M3/45-FT |
GBL06L-5308E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5600E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5701E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-6177E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-6832E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-6870E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-7000E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL08-5000M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL08-5300E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL08L-5306E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel