casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU6JL-5306M3/45
Número de pieza del fabricante | GBU6JL-5306M3/45 |
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Número de parte futuro | FT-GBU6JL-5306M3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU6JL-5306M3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3.8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 6A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU6JL-5306M3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU6JL-5306M3/45-FT |
G3SBA60L-6088E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6088M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6841E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60L-6841M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80L-6000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80L-6000M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60L-6088E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA60L-6088M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06-3E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBL06L-5303E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel