casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU4JL-5708E3/51
Número de pieza del fabricante | GBU4JL-5708E3/51 |
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Número de parte futuro | FT-GBU4JL-5708E3/51 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU4JL-5708E3/51 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU4JL-5708E3/51 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU4JL-5708E3/51-FT |
F475R07W2H3B51BOMA1
Infineon Technologies
FBS10-12SC
IXYS
FS3L30R07W2H3FB11BPSA1
Infineon Technologies
FS3L50R07W2H3FB11BOMA1
Infineon Technologies
G2SB60L-5700E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5700E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5751E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5751M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5752E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G2SB60L-5753E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP3C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FGG456I
Xilinx Inc.
AGLN020V5-CSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEA9K1H40C2LN
Intel
XC7VX690T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
10AX057K3F35I2SG
Intel
EP20K300ERC208-2X
Intel