casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU410GTB
Número de pieza del fabricante | GBU410GTB |
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Número de parte futuro | FT-GBU410GTB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU410GTB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU410GTB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU410GTB-FT |
GBU401 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU401HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU404 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU404HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU405HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU406HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484I
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EP4SE530H40I3N
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A42MX09-1PQG160M
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LFE3-17EA-6MG328C
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LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C8N
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EP2SGX90FF1508I4
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