casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU410GTB
Número de pieza del fabricante | GBU410GTB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU410GTB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU410GTB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU410GTB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU410GTB-FT |
GBU401 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU401HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403HD2G
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XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
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