casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU408-G
Número de pieza del fabricante | GBU408-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU408-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU408-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 2A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU408-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU408-G-FT |
DF04-G
Comchip Technology
DF005S-G
Comchip Technology
DF005-G
Comchip Technology
CDBHM160L-HF
Comchip Technology
CDBHM1100L-HF
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BR5010L-G
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BR5010-G
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BR1010SG-G
Comchip Technology
BR1006SG-G
Comchip Technology
BR10005SG-G
Comchip Technology
A3PN030-ZQNG68
Microsemi Corporation
EP20K30ETC144-2N
Intel
LFXP3E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
10CL055YU484C8G
Intel
LFE5U-45F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35C4N
Intel