casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU1501-G
Número de pieza del fabricante | GBU1501-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU1501-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU1501-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3.2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 7.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1501-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU1501-G-FT |
DB103-G
Comchip Technology
DB104-G
Comchip Technology
DB106-G
Comchip Technology
DF206ST-G
Comchip Technology
DF206S-G
Comchip Technology
DF206-G
Comchip Technology
DF204ST-G
Comchip Technology
DF204S-G
Comchip Technology
DF204-G
Comchip Technology
DF10S-G
Comchip Technology
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel