Número de pieza del fabricante | GBU10J |
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Número de parte futuro | FT-GBU10J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU10J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU10J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU10J-FT |
GBPC3508TA
SMC Diode Solutions
GBPC3508WTA
SMC Diode Solutions
MB05FTR
SMC Diode Solutions
MB05STR
SMC Diode Solutions
MB1FTR
SMC Diode Solutions
MB1STR
SMC Diode Solutions
MB2FTR
SMC Diode Solutions
MB2STR
SMC Diode Solutions
MB4FTR
SMC Diode Solutions
MB4STR
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M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2C35U484C7
Intel
EP4CE15F23C9L
Intel
EP3C16E144I7
Intel
A1010B-PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel