casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU1010-G
Número de pieza del fabricante | GBU1010-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU1010-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU1010-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1010-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU1010-G-FT |
GBPC3506W-G
Comchip Technology
GBPC3506-G
Comchip Technology
DF210S-G
Comchip Technology
DB107-G
Comchip Technology
DF210-G
Comchip Technology
DB102-G
Comchip Technology
DB105-G
Comchip Technology
DB101-G
Comchip Technology
DB103-G
Comchip Technology
DB104-G
Comchip Technology
A40MX04-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A100T-1FG676I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3DQI
Microchip Technology
10M40DAF256I7G
Intel
5SGSMD4E3H29C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C1N
Intel
LFEC33E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EQC208-3
Intel