casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU1010-G
Número de pieza del fabricante | GBU1010-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU1010-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU1010-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBU |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1010-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU1010-G-FT |
GBPC3506W-G
Comchip Technology
GBPC3506-G
Comchip Technology
DF210S-G
Comchip Technology
DB107-G
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DF210-G
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DB105-G
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DB101-G
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DB104-G
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ICE5LP4K-SG48ITR50
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
10CL016YU256C6G
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XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP20K200CB356C8
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