casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU1008TB
Número de pieza del fabricante | GBU1008TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU1008TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU1008TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1008TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU1008TB-FT |
GBU403HD2G
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A40MX04-2VQ80I
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XC7A100T-1FG676I
Xilinx Inc.
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3DQI
Microchip Technology
10M40DAF256I7G
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5SGSMD4E3H29C4N
Intel
5SGXEA4K2F35C1N
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30EQC208-3
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