casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBU1001TB
Número de pieza del fabricante | GBU1001TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBU1001TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBU1001TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBU |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBU1001TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBU1001TB-FT |
GBU402 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU402HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU403HD2G
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GBU404HD2G
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GBU406HD2G
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GBU601HD2G
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LFXP2-5E-5TN144I
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XC4005XL-1PQ208C
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EP20K400FC672-3
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5AGZME3E2H29I3LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
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5SGXEA5K2F35I2L
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XC7K410T-1FFG900I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation
EPF10K10LC84-3
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EP20K160EBC356-1N
Intel