casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBPC3510T
Número de pieza del fabricante | GBPC3510T |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBPC3510T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBPC3510T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 17.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-Square, GBPC |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBPC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBPC3510T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBPC3510T-FT |
VBE60-06A
IXYS
VBO40-12NO6
IXYS
VBO40-16NO6
IXYS
DMA150YA1600NA
IXYS
DMA150YC1600NA
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VUO190-14NO7
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VBO13-08NO2
IXYS
VBO13-12NO2
IXYS
VBO13-16NO2
IXYS
FUE30-12N1
IXYS
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel