casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBLA10-M3/51
Número de pieza del fabricante | GBLA10-M3/51 |
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Número de parte futuro | FT-GBLA10-M3/51 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBLA10-M3/51 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBL |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBLA10-M3/51 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBLA10-M3/51-FT |
B8S-G
Comchip Technology
B8S-HF
Comchip Technology
BR10005-G
Comchip Technology
BR1004-G
Comchip Technology
BR1010-G
Comchip Technology
BR25005-G
Comchip Technology
BR2504-G
Comchip Technology
BR2510-G
Comchip Technology
BR35005-G
Comchip Technology
BR3504-G
Comchip Technology
XC4010XL-3TQ144I
Xilinx Inc.
XCV200E-8FG456C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
M1AFS600-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4
Intel
5SGXEA3K3F40C3N
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G6F35C6N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel