Número de pieza del fabricante | GBL10 |
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Número de parte futuro | FT-GBL10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBL10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBL |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBL10-FT |
LVE1560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
LVE2560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
M50100TB400
Sensata-Crydom
M5060TB1600
Sensata-Crydom
FTB1F-15FTR
SMC Diode Solutions
FTB2F-15FTR
SMC Diode Solutions
FTB4F-15FTR
SMC Diode Solutions
FTB8F-15FTR
SMC Diode Solutions
GBPC25005TA
SMC Diode Solutions
GBPC25005WTA
SMC Diode Solutions
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
EP20K100EFI144-2X
Intel
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation