Número de pieza del fabricante | GBL10 |
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Número de parte futuro | FT-GBL10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBL10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBL |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBL10-FT |
LVE1560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
LVE2560-M3/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
M50100TB400
Sensata-Crydom
M5060TB1600
Sensata-Crydom
FTB1F-15FTR
SMC Diode Solutions
FTB2F-15FTR
SMC Diode Solutions
FTB4F-15FTR
SMC Diode Solutions
FTB8F-15FTR
SMC Diode Solutions
GBPC25005TA
SMC Diode Solutions
GBPC25005WTA
SMC Diode Solutions
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel