casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBL10-E3/51
Número de pieza del fabricante | GBL10-E3/51 |
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Número de parte futuro | FT-GBL10-E3/51 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBL10-E3/51 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBL |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL10-E3/51 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBL10-E3/51-FT |
GBU8B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6C-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA20-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA60-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
G3SBA80-M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
G5SBA20-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010XL-1PQ100I
Xilinx Inc.
XC7K160T-3FBG676E
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C5U256C6N
Intel
EP4CGX15BF14C6
Intel
AGL125V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation