casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBL02-M3/51
Número de pieza del fabricante | GBL02-M3/51 |
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Número de parte futuro | FT-GBL02-M3/51 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBL02-M3/51 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 4A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 4A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBL |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBL02-M3/51 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBL02-M3/51-FT |
KBU2506-G
Comchip Technology
KBU2508-G
Comchip Technology
KBU3501-G
Comchip Technology
KBU3502-G
Comchip Technology
KBU3506-G
Comchip Technology
KBU3508-G
Comchip Technology
B05S-HF
Comchip Technology
B10S-HF
Comchip Technology
B1S-G
Comchip Technology
B2S-G
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XC6SLX9-N3FT256I
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XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
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LCMXO2280E-4FTN256I
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5SGXMBBR2H43C2N
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LFE3-70E-8FN1156I
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LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
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