casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJL3510-BP
Número de pieza del fabricante | GBJL3510-BP |
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Número de parte futuro | FT-GBJL3510-BP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJL3510-BP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 17.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJL |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJL3510-BP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJL3510-BP-FT |
TS40P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P05G C2G
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TS50P06G C2G
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TS50P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS10-HF
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ABS10TR
SMC Diode Solutions
ABS210TR
SMC Diode Solutions
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC672-3
Intel
10M50DAF484C6GES
Intel
5SEE9F45C2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
EP4SE360F35I4
Intel
XC4VSX55-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
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LFE2-70SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation