casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJL3510-BP
Número de pieza del fabricante | GBJL3510-BP |
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Número de parte futuro | FT-GBJL3510-BP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJL3510-BP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 17.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJL |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJL3510-BP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJL3510-BP-FT |
TS40P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ABS10-HF
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ABS10TR
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ABS210TR
SMC Diode Solutions
EX64-TQG100A
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XC3S1000-4FTG256C
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10AX022E4F29E3LG
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5SGXMBBR2H43I2N
Intel
XC2VP40-5FFG1148C
Xilinx Inc.
XA6SLX45T-2CSG324Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I4LN
Intel