casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJL2008-BP
Número de pieza del fabricante | GBJL2008-BP |
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Número de parte futuro | FT-GBJL2008-BP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJL2008-BP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJL2008-BP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJL2008-BP-FT |
SBR10
Semtech Corporation
SBR10F
Semtech Corporation
SBR1F
Semtech Corporation
SBR2
Semtech Corporation
SBR2F
Semtech Corporation
SBR4
Semtech Corporation
SBR4F
Semtech Corporation
SBR6F
Semtech Corporation
SC3AS15FF
Semtech Corporation
SC3AS2A
Semtech Corporation
XC6SLX150T-N3FGG484C
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C2LN
Intel
10AX048H2F34E2SG
Intel
A40MX04-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35E3SG
Intel
EP20K160EQI240-3
Intel
EP1K50QC208-2
Intel