casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJL1010-BP
Número de pieza del fabricante | GBJL1010-BP |
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Número de parte futuro | FT-GBJL1010-BP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJL1010-BP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJL |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJL |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJL1010-BP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJL1010-BP-FT |
TS40P05GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P07GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS50P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S100E-4VQG100Q
Xilinx Inc.
XC3S1500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A3PE1500-PQ208I
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3N
Intel
EPF10K200SBC600-2
Intel
5SGXEB6R3F40I3L
Intel
5SGXEB9R2H43I3N
Intel
XC5VLX155-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC4013E-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C4N
Intel