casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJA1010-BP
Número de pieza del fabricante | GBJA1010-BP |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJA1010-BP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJA1010-BP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, JA |
Paquete del dispositivo del proveedor | JA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJA1010-BP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJA1010-BP-FT |
GBU610-G
Comchip Technology
GBU8005-G
Comchip Technology
GBU802-G
Comchip Technology
GBU804-G
Comchip Technology
GBU806-G
Comchip Technology
GBU810-G
Comchip Technology
GBU4M-G
Comchip Technology
CBRSDSH2-100 TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1-D040S TR13
Central Semiconductor Corp
CBR1-D080S
Central Semiconductor Corp
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel