casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ601TB
Número de pieza del fabricante | GBJ601TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ601TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ601TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 6A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ601TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ601TB-FT |
GBU804 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU804HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU805HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU806HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU807HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1001HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBU1002 D2G
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GBU1002HD2G
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GBU1003 D2G
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LCMXO1200E-4TN100I
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XA3S1600E-4FGG400Q
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XC2S100-5FGG256I
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EP4SGX180KF40C4N
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5SGXMA3K2F40I3N
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XC7A200T-1SBG484I
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XC3030-100PC68C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35C4N
Intel