casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ3510TB
Número de pieza del fabricante | GBJ3510TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ3510TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ3510TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3510TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ3510TB-FT |
MBS10 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6S RCG
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MBS4 RCG
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10M40DAF256I7G
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