casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ3508-BP
Número de pieza del fabricante | GBJ3508-BP |
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Número de parte futuro | FT-GBJ3508-BP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ3508-BP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 35A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 17.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ3508-BP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ3508-BP-FT |
MB810
Micro Commercial Co
MB810-BP
Micro Commercial Co
MB82
Micro Commercial Co
MB82-BP
Micro Commercial Co
MB84
Micro Commercial Co
MB84-BP
Micro Commercial Co
MB86
Micro Commercial Co
MB86-BP
Micro Commercial Co
MB88
Micro Commercial Co
MD50S16M4-BP
Micro Commercial Co
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel