casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2510-F
Número de pieza del fabricante | GBJ2510-F |
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Número de parte futuro | FT-GBJ2510-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2510-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2510-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2510-F-FT |
MB356
Diodes Incorporated
MB356-F
Diodes Incorporated
MB156W
Diodes Incorporated
MB156W-F
Diodes Incorporated
MB158
Diodes Incorporated
MB352W
Diodes Incorporated
MB352W-F
Diodes Incorporated
GBL410
Diodes Incorporated
DSRHD02-13
Diodes Incorporated
DSRHD04-13
Diodes Incorporated
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel