casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2510-04-G
Número de pieza del fabricante | GBJ2510-04-G |
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Número de parte futuro | FT-GBJ2510-04-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2510-04-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2510-04-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2510-04-G-FT |
KBJ601G
Diodes Incorporated
KBJ404G
Diodes Incorporated
KBJ6005G
Diodes Incorporated
KBJ602G
Diodes Incorporated
SBR05M60BLP-7
Diodes Incorporated
SBR05M100BLP-7
Diodes Incorporated
SDM1L30BLP-13
Diodes Incorporated
SBR2A40BLP-13
Diodes Incorporated
LBS10-13
Diodes Incorporated
HDS10M-13
Diodes Incorporated
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel