casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2508-04-G
Número de pieza del fabricante | GBJ2508-04-G |
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Número de parte futuro | FT-GBJ2508-04-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2508-04-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2508-04-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2508-04-G-FT |
KBJ604G
Diodes Incorporated
KBJ608G
Diodes Incorporated
KBJ406G
Diodes Incorporated
KBJ610G
Diodes Incorporated
KBJ606G
Diodes Incorporated
KBJ601G
Diodes Incorporated
KBJ404G
Diodes Incorporated
KBJ6005G
Diodes Incorporated
KBJ602G
Diodes Incorporated
SBR05M60BLP-7
Diodes Incorporated
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP1C6F256C6
Intel
5SGSMD5K1F40C2L
Intel
EP4SGX290KF43I4N
Intel
EP3SL200F1152C3N
Intel
XC4VFX100-10FF1152C
Xilinx Inc.
XC7S25-1CSGA324Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQG176
Microsemi Corporation
EP1S80F1508C5N
Intel