casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2506TB
Número de pieza del fabricante | GBJ2506TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ2506TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2506TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2506TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2506TB-FT |
MBS4 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB2S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS2 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS6 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
EP1K50TI144-2
Intel
XCV200-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BG272I
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A3P1000-2FG484
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M1AGLE3000V2-FG484
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Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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LFE3-150EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation