Número de pieza del fabricante | GBJ2501 |
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Número de parte futuro | FT-GBJ2501 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2501 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2501 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2501-FT |
KBP206G
Diodes Incorporated
KBP02G
Diodes Incorporated
KBP005G
Diodes Incorporated
KBP204G
Diodes Incorporated
KBP210G
Diodes Incorporated
KBP201G
Diodes Incorporated
KBP04G
Diodes Incorporated
KBP202G
Diodes Incorporated
KBP06G
Diodes Incorporated
KBP2005G
Diodes Incorporated
LFEC3E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FG484I
Microsemi Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F23C9LN
Intel
EP3C25U256A7N
Intel
5SGXEA7N1F45C2L
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP1S30F780C7
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel