casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2010TB
Número de pieza del fabricante | GBJ2010TB |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GBJ2010TB |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2010TB Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 20A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-ESIP |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2010TB Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2010TB-FT |
MBS8 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS10 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBS4 RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB2S RCG
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MBS2HRCG
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MBS4HRCG
Taiwan Semiconductor Corporation
RMB4S RCG
Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
RMB6SHRCG
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XC7A15T-2FGG484C
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A40MX04-1PLG68
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A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I3N
Intel
XC6VLX75T-1FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FTG256I
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EP2AGZ350FF35I3N
Intel