casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GBJ2010-G
Número de pieza del fabricante | GBJ2010-G |
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Número de parte futuro | FT-GBJ2010-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GBJ2010-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 1kV |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 10A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GBJ |
Paquete del dispositivo del proveedor | GBJ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GBJ2010-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GBJ2010-G-FT |
SBR2A40BLP-13
Diodes Incorporated
LBS10-13
Diodes Incorporated
HDS10M-13
Diodes Incorporated
HDS20M-13
Diodes Incorporated
MSB10M-13
Diodes Incorporated
DFBR030U3LP-13
Diodes Incorporated
RDBF1510U-13
Diodes Incorporated
RDBF2510-13
Diodes Incorporated
RDBF310-13
Diodes Incorporated
DBF1510U-13
Diodes Incorporated
LFEC3E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
XC4005XL-2VQ100C
Xilinx Inc.
XC4005XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
AX250-1FGG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F40I3LN
Intel
5SGSED6N2F45C3N
Intel
XC6VLX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation